三星Galaxy Tab S10 Plus & Ultra平板荣获3C认证：45W快充加持，标准版缺席

8月20日消息，三星Galaxy Tab S10系列的两款高端型号——Tab S10 Plus（型号SM-X820）与Tab S10 Ultra（型号SM-X926C）已成功获得3C认证，标志着它们离正式上市又近了一步。然而，值得注意的是，此次认证名录中并未提及S10标准版的信息，引发市场种种猜测。

根据曝光的 3C 认证细节，三星 Galaxy Tab S10 Plus 和 Galaxy Tab S10 Ultra 两款平板均支持 EP-TA200 旅行充电器（9.0VDC，1.67A 或 5.0VDC，2.0A）以及 9.0VDC，2.77A 或 10.0VDC，4.5A，最高支持 45W 充电。

曾于 8 月 6 日报道，根据 GSMA IMEI 数据库信息，最早在 6 个月前，就在数据库中发现 Galaxy Tab S10+ 和 Galaxy Tab S10 Ultra 两款机型踪迹，但没有发现标准版；截至 8 月 5 日，依然没有发现标准版 Galaxy Tab S10 的踪迹。

三星发布Music Frame无线音箱，设计灵感源自The Frame画壁电视理念

1月8日消息，三星作为全球知名的消费电子产品制造商，在设计创新上一直走在行业前列。早前，三星已成功推出了多代 The Frame 画壁电视产品，该系列电视凭借其独特的设计理念和艺术外观在市场上引起了广泛关注。The Frame 画壁电视的标志性设计在于将电视屏幕与精美的画框完美结合，通过模拟真实画作悬挂于墙壁的效果，使得电视在待机状态下可以化身为一幅幅精美的艺术品，极大地提升了家居空间的艺术氛围，也更好地实现了电视与整体家居装饰风格的无缝融合。

在 CES 2024 上，三星推出了一款类似设计理念的 Music Frame 无线音箱，可以搭配画壁电视一起使用。

该音箱配有两个低音扬声器、两个高音扬声器和两个中音扬声器。扬声器阵列支持杜比全景声，并支持通过三星的 SpaceFit 技术来校准房间的声音。

三星表示，Music Frame 具有“宽广的径向声音范围”，无论用户坐在它周围的哪个位置，都可以听到优质的音频。两个低音扬声器为后置设计，而其他四个为前置设计，该公司解释说，这种设置有助于扬声器清晰、自然的声音。Music Frame 与三星的 Q-Symphony 技术兼容，该技术使用电视扬声器以及任何其他家庭影院音频设备来提高整体音质。

Music Frame 可用作独立的蓝牙或 Wi-Fi 音箱，或与三星电视、条形音箱等一起作为家庭影院设置的一部分。用户还可以购买两个 Music Frame，将其安装在画壁电视的两侧作为立体声音箱。该设备可以安装在墙上，并内置桌面摆放支架。三星还在 Music Frame 中内置了完整的物联网中心，并支持语音助手。

值得注意的是，Music Frame 没有屏幕，正面显示的图案是照片或艺术品，用户需要手动更换。

三星XR头显十月首发开发者版本，消费者级产品预定2025年初春面市

近日消息，三星、谷歌和高通三方合作开发的下一代XR（扩展现实）平台的消息引起了广泛关注。这一平台被视为XR技术发展的重要里程碑，将集合三家科技巨头在硬件、软件和生态方面的优势，推动XR行业的创新和普及。

根据最新计划，该XR平台的开发者版本预计将在今年10月正式发布。这一版本主要面向开发者，旨在为他们提供早期访问权限，以便开始构建和优化应用程序，为未来的消费者版本做准备。

开发者版本通常包含了XR设备的核心功能和开发工具，让开发者能够在实际硬件上测试和调试自己的软件，确保与平台的兼容性和性能表现。

据介绍，这款代号“Moohan”的 XR 头显由三星制造，搭载高通处理器，运行某种形式的 Android 操作系统，其消费者版本将于 2025 年 3 月上市。

三星开发者大会 SDC 2024 定于 10 月 3 日举行，三星届时可能会公布这款 XR 头显的更多详细信息。

三星电子V9 QLC NAND闪存面临挑战：未达量产标准，平泽P4工厂计划受阻

7月31日消息，三星电子遭遇新挑战，其V9 NAND闪存QLC版本的量产审批尚未通过，这直接影响了平泽P4工厂生产线的升级计划，为存储市场的供应格局增添不确定性。

三星电子今年 4 月宣布其 V9 NAND 闪存的 1Tb 容量 TLC 版本实现量产，对应的 QLC 版本则将于今年下半年进入量产阶段。

然而直到现在，三星电子并未对 V9 QLC NAND 闪存下达 PRA（应指 Production Readiness Approval）量产就绪许可。而容量更高、成本更低的 QLC 闪存目前正是 AI 推理服务器存储需求的热点。

明星产品前景不明，使得三星电子内部对是否将平泽 P4 工厂第一阶段完全用于 NAND 生产存在不同声音。

根据三星电子此前的规划，平泽 P4 工厂将成为一个综合性的半导体生产中心，其包含四个阶段，可制造逻辑、NAND、DRAM 等产品，

其中 P4 工厂的第一阶段用于 NAND 生产、第二阶段用于逻辑代工、第三和第四阶段用于 DRAM 制造。

不过由于晶圆代工订单数量不足，而以 HBM 为代表的 DRAM 内存产品需求火爆，三星电子已于上半年调整了平泽 P4 工厂投资计划，先行建设 DRAM 内存产线，延后逻辑代工线建设。

三星电子目前在平泽 P4 工厂第一阶段的 NAND 产能为每月 10000 片晶圆，此前提出了到明年将月度晶圆投片量提升至 45000 片的目标。

但 V9 QLC NAND 并未及时得到量产许可，导致有内部人士认为应该将第一阶段的部分建设面积用于前景更明确的 DRAM 生产。