三星电子工会罢工持续：薪资谈判破裂，劳资矛盾再升级

8月1日消息，三星电子与其最大的工会在最近的工资谈判中遗憾未能达成一致，据昨日消息人士透露。工会方面表示谈判未取得突破，并宣布将继续罢工行动，而双方是否会展开进一步的对话仍不明朗，为公司运营带来不确定性。

三星电子管理层与韩国全国三星电子工会（NSEU）从本周一开始进行新一轮谈判，他们的上一次谈判在上周未能达成协议。

NSEU 此前提议从周一开始进行三天的“最后谈判”，条件是三星公司提出令人满意的谈判方案。三星电子表示，很难接受工会的要求，但愿意在谈判期间积极进行对话。

报道称，NSEU 要求所有成员基本工资提高 5.6%，在工会成立日保证休假，并赔偿因罢工造成的经济损失。三星电子强调其致力于建立双赢的劳资关系，提出工资增长 5.1%。

据此前报道，此次罢工从 7 月 8 日开始，7 月 10 日起变成无限期罢工。尽管罢工至今已有二十多天，但三星电子报告称对生产的影响很小。

三星电子瞄准2025至2026年，革新移动内存领域：LP Wide I/O技术将位宽推升至512bit

7月17日消息，三星电子公布了其在移动内存技术上的最新突破——LP Wide I/O（简称LPWIO）内存的研发进展，这是根据该公司最新的2024年异构集成路线图所透露的信息。

值得注意的是，三星电子以往曾提到过一种名称与其相近的 LLW (Low Latency Wide I/O) 内存，尚不能确认两者关系。

LP Wide I/O 内存将于 2025 年一季度实现技术就绪，2025 下半年至 2026 年中实现量产就绪。

路线图显示，LP Wide I/O 内存单封装位宽将达到现有 HBM 内存的一半 —— 即 512bit。

作为对比，目前的 LPDDR5 内存大多数是单封装四通道共 64bit，未来的 LPDDR6 内存也仅有 96bit。

更大的位宽意味着三星电子的 LP Wide I/O 内存可提供远胜于现有移动内存产品的内存带宽，满足设备端 AI 应用等场景的需求。

在相对较小的移动内存芯片上实现 512bit 位宽，势必需要堆叠 DRAM 芯片，但 HBM 采用的 TSV 硅通孔方式也不适合移动内存各层 DRAM 间的互联。

因此三星电子将在 LP Wide I/O 内存上采用一项名为 VCS (全称 Vertical Cu Post Stack) 的全新垂直互联技术。

同 SK 海力士的 VFO 技术类似，三星电子的 VCS 技术也是将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子表示，VCS 先进封装技术相较传统引线键合拥有 8 倍和 2.6 倍的 I/O 密度和带宽；

相较 VWB 垂直引线键合 全称 Vertical Wire Bonding，疑似指代 SK 海力士的 VFO 技术) ，三星电子宣称其 VCS 技术的生产效率是前者 9 倍。

三星电子在图片中还提到，其 LPDDR6 内存也预计于 2025~2026 年量产就绪。

三星电机牵手AMD，专为超大规模数据中心打造高性能FCBGA基板

近日消息，三星电机宣布其将为AMD提供专为超大规模数据中心设计的高性能FCBGA基板，这一合作标志着在倒装芯片球栅阵列技术领域的一大进展，进一步推动了数据中心硬件性能的界限。

三星电机在新闻稿中宣称，其已向 FCBGA 基板领域投资了 1.9 万亿韩元（当前约 99.5 亿元人民币）。

三星电机与 AMD 联手开发了将多个半导体芯片集成到单个基板上的封装技术，这项技术对 CPU / GPU 应用至关重要，可实现当今超大规模数据中心所需的高密度互联。

与通用计算机基板相比，数据中心基板面积是前者 10 倍、层数是前者 3 倍，对芯片供电与可靠性的要求更高。

三星电机通过其创新的制造工艺解决了大面积基板的翘曲问题，保证了芯片安装时的高良率。

三星电机副总裁兼战略营销主管 Kim Won-taek 表示：

我们已成为 HPC 和 AI 半导体解决方案全球领导者 AMD 的战略合作伙伴。我们将继续投资于先进的基板解决方案，以满足数据中心和计算密集型应用不断变化的需求，为 AMD 等客户提供核心价值。

AMD 全球运营制造战略副总裁 Scott Aylor 表示：

AMD 始终走在创新的前沿，以满足客户对性能和效率的需求。我们在芯片技术领域的领先地位让我们能够在 CPU 和数据中心 GPU 产品组合中提供卓越的性能、效率和灵活性。我们与三星电子等合作伙伴的持续投资，将确保我们拥有提供未来 HPC 和 AI 产品所需的先进基板技术和能力。

三星计划Q3大幅提升HBM3e供应给NVIDIA，产能调整20%-30%

7月16日消息，尽管三星电子在本月早些时候否认了其HBM3e内存芯片已经通过英伟达质量认证的传言，但三星似乎正在调整其生产策略，计划将20-30%的产能转向高带宽内存（HBM）的生产。

这一举措表明三星正响应市场对HBM内存日益增长的需求，尤其是在高性能计算和图形处理领域，这类内存因为其高速度和高带宽特性而备受青睐。

该媒体报道称三星已通知部分供应链合作伙伴，要求其尽快下单并储备产能，这表明这家内存巨头的 HBM 可能会在下半年顺利开始出货。此举也可能意味着三星内部的产能分配将加速，将生产线的重心转移到 HBM 上。

供应链消息人士认为，三星于 7 月 31 日举行财务报告会议，极有可能在本次活动中公告通过英伟达 HBM 认证的消息。

该消息源认为常规服务器需求的复苏，加上 DRAM 厂商不断转移到 HBM 上，预估第 3 季度 DRAM 平均售价将上涨 8-13%。