SK海力士副总裁展望AI时代：存储产品蜕变，从基础元件跃升为综合性解决方案

8月28日消息，SK海力士的系统架构部门主管Park Kyung先生在昨日召开的一场韩国学术论坛上阐述了一个关键观点：在人工智能(AI)时代背景下，存储产品正经历着从传统零部件到综合性解决方案的转型升级。

박경表示：

仅仅拥有 DRAM 设计技能已经不够了。我们需要从“运营和系统”的角度，而不仅仅是从半导体技术的角度，来审视系统是如何变化的，以及存在哪些机遇和挑战。半导体生态系统过去由供求关系主导，但未来它需要转变为一种解决共同目标的合作关系。我们如何快速应对这种结构，就是我们如何将未来产品快速推向市场的关键。

就 SK 海力士在 HBM 内存这一 AI 领域热点产品取得龙头地位，这位副总裁则称：

我不清楚我们是因擅长而排名第一，还是因排名第一而擅长。但我总是认为是后者。我们需要比现在更谦虚地对待技术，我们需要更努力地探索我们未知的内容。

而在技术层面，박경设想了将目前主要用于 CPU 系统内存扩展的 CXL 内存模块（SK 海力士对其简称为 CMM）应用到 AI XPU 中，为面临片外缓存容量和带宽瓶颈的 AI 芯片提供助力。

박경表示 SK 海力士的 CXL 2.0 CMM 样品已经性能稳定，正在与主要客户合作进行测试认证，获得订单后才有可能量产。

此外 SK 海力士现有 CXL 2.0 CMM 中使用的控制器来自澜起，但 SK 海力士也在内部开发 CXL 主控，目标下代 CMM 模块采用自研控制器。

SK海力士HBM技术跃进：堆叠层数壁垒打破，MR-MUF与混合键合封装技术引领创新

9月4日消息，SK海力士的封装研发副社长李康旭博士于9月3日在“2024年异构集成全球峰会”上，做了题为“迎接AI时代：HBM内存与尖端封装技术的发展”的主题演讲。他透露，SK海力士正致力于16层HBM4内存的研发，预示着存储技术向更高密度与更高速度的飞跃，以应对人工智能应用的严苛需求。

Lee 在演讲中强调异构集成技术（封装不同工艺的半导体芯片）重要性日益凸显，通过合理利用该技术，海力士将进一步提高第 6 代 HBM4 产品（计划明年产量）的性能。

目前的 8 层和 12 层 HBM3E 每秒可处理超过 1.18TB （太字节）的数据，并支持高达 36GB 的容量。HBM4 将提供 12 层和 16 层产品，最大容量为 48GB，数据处理速度超过每秒 1.65TB。

Lee 表示：“通过在 HBM4 的基础芯片上应用逻辑工艺，我们预计性能和能效都将得到提升”。

SK Hynix 和台积电正在合作开发 HBM4，计划于 2025 年量产。开发的关键是使用台积电的 5 纳米工艺来创建 HBM4 封装底部的基底芯片。

HBM 是在基底芯片上堆叠多个 DRAM，并使用 TSV（硅通孔）技术将它们垂直连接起来。基底芯片连接到 GPU（图形处理单元）并控制 HBM 的性能。

Lee 还强调了 SK Hynix 采用的先进 MR-MUF 技术的优势。MR-MUF 封装技术可实现低粘合压力和温度应用以及批量热处理，与其他工艺相比，在散热方面具有 30% 以上的性能优势。

援引他的演讲内容：“我们正在为 16 层产品准备先进的 MR-MUF 和混合键合（Hybrid Bonding）方法，并计划选择满足客户需求的最佳方法”。

SK 海力士目前正在利用 MR-MUF 技术批量生产 HBM3 和 HBM3E 8 层产品，并利用先进的 MR-MUF 技术批量生产 12 层产品，HBM4 12 层产品也将使用同款技术，这些产品计划于明年下半年出货。此外，SK Hynix 还在为 HBM4 之后的第七代 HBM4E 做准备。

SK海力士发布数据中心专用PEB110 SSD：传输速率飙升至32GT/s，容量高达8TB

9月11日消息，SK海力士于9月10日发布公告，揭示了其最新成果：一款专为数据中心设计的高效能固态硬盘PEB110 E1.S（简称PEB110），标志着公司在高端存储解决方案领域再次迈出重要一步。

PEB110 简介

PEB110 采用第五代 PCIe，带宽比现有第四代 (Gen4) 高一倍，数据传输速度达到了 32 GT/s（千兆传输 / 秒），由此性能较上一代产品提高 1 倍，能效提升 30% 以上。

SK 海力士针对该产品开发出了三种容量版本：2TB（太字节）、4TB 和 8TB，并支持 OCP 2.5 版本，以提高全球数据中心的兼容性。

信息安全

SK 海力士首次将 SPDM（Security Protocols and Data Model）应用于其面向数据中心的 SSD 产品中，大幅加强了信息安全功能。

注：SPDM 是专门用于保护服务器系统核心安全的解决方案，支持服务器的安全认证和监控。

随着针对数据中心的网络攻击的不断增加，公司认为配备 SPDM 的 PEB110 将成为符合客户信息安全要求的产品。

出货情况

公司目前正在与全球数据中心客户共同进行 PEB110 验证，计划在获得验证后，于明年第二季度开始量产该产品，并向市场供应。

SK 海力士表示：

随着 AI 时代的全面到来，不仅是 HBM 等超高速 DRAM 产品，客户对适用于数据中心的高性能 NAND 闪存解决方案 SSD 的产品需求也在增大。

为了顺应这一趋势，公司开发出采用第五代 PCIe（Gen5）、可大幅提高数据处理速度及能效的新产品，并将其推向市场。

SK海力士推进中国无锡半导体工厂转型，启用第四代10纳米工艺提升产能

据了解，韩国芯片制造巨头SK海力士正在考虑打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，以提升其在中国的半导体工厂的技术水平。

SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分DRAM生产设备提升至第四代10纳米工艺。然而，对于“无锡工厂将进行技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。

这一举动被视为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力的提升，一些韩国芯片企业正在采取一切可以使用的方法来提高在华工厂的制造工艺水平。

据了解，无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。

报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为自2019年以来，美国为阻止中国半导体产业崛起，单方面限制了制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

尽管如此，随着全球半导体市场进入复苏阶段，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。

媒体分析称，SK海力士的这一举动反映了全球半导体市场的变化和中国半导体产业的快速发展。在全球半导体市场复苏的背景下，中国半导体产业的提升无疑将为全球半导体产业的发展注入新的活力。