SK海力士HBM内存：70%年增长率背后的消费级市场潜力揭秘

7月5日消息，SK海力士的副总裁及封装技术部门主管文奇郁（Moon Ki-ill）在4日于首尔召开的会议上透露，HBM内存的预计年均复合增长率（CAGR）将会高达70%。这一发言凸显了SK海力士对HBM市场未来发展的高度乐观态度及其强劲的增长潜力。

Moon Ki-ill 表示，市场研究机构 TrendForce 集邦咨询曾认为 2021~2027 年 HBM 内存市场的 CAGR 将为 26.4%，但下游客户的需求远远超过了第三方机构的预期。

根据以往报道，以 SK 海力士为首的三大 DRAM 企业已基本售罄 2025 年的 HBM 供应。

Moon Ki-ill 还提到，HBM 目前主要用于 AI 加速器，但未来价格下降后有望渗透到以 PC 和移动设备为代表的消费级市场。

AMD 曾在 GCN 架构世代推出过数款搭载 HBM 内存的高端消费级显卡（如 RX Vega 64、R9 Fury X 等），但那之后 HBM 就退出了消费级的视野。

Moon Ki-ill 称：“SK 海力士正在为 16 和 20 层堆叠的 HBM 内存生产准备混合键合技术，这将使它们在价格上更具竞争力。”

SK海力士NAND业务分支Solidigm据传筹备美国IPO，上市计划浮出水面

7月29日消息，SK海力士透露，其正在探讨将其NAND闪存及固态硬盘的子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO）的可能性，此举或将增强Solidigm在全球存储市场的竞争力和独立发展能力。

SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收购英特尔 NAND 与 SSD 业务，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收购第一阶段后成立的独立美国子公司。

由于内外部因素的共同影响，Solidigm 成立后不久就陷入了连年亏损，从 2021 年二季度开始 12 个季度净利润为负值。

不过近来由于 AI 推理等服务器需求的迅速增长，在企业级固态硬盘上具有领先地位的 Solidigm 业绩也逐渐转好，继在今年一季度实现正营业利润后，今年二季度净利润也回归正数。

韩媒表示，Solidigm 是屈指可数的几家能提供超大容量（64TB 级）QLC 企业级固态硬盘的企业之一。亚马逊、谷歌、戴尔等巨头争相向 Solidigm 下达订单，以期在竞争对手之前获得硬盘供应。

此外 SK 海力士与 Solidigm 还计划在明年初推出 128TB 原始容量的企业级固态硬盘，256TB 的产品也在准备中。

为了应对持续增加的企业级需求，Solidigm 迫切需要获得扩张业务的资金；另一方面，SK 海力士即将在 2025 年 3 月向英特尔支付收购案第二阶段的 20 亿美元（当前约 145.36 亿元人民币）价款，也需要回笼部分资金。

在此背景下，SK 集团内部高管提出了推动 Solidigm 在美国上市的计划。韩媒估计，Solidigm 的市值有望达到 20 万亿~30 万亿韩元（当前约 1048.6 亿~1572.9 亿元人民币）。

Wedbush 分析师马特·布赖森 (Matt Bryson) 表示：

我们认为这一消息是可信的，因为 SK 海力士以前就有将 Solidigm 分离出去的计划，该公司最近的复苏使这一选择变得更加可行。

我们认为，SK 海力士的这一努力能否取得成功，将取决于新组织的分拆方式（例如，Solidigm 内部包括哪些资产，SK 海力士保留哪些资产），以及海力士 / Solidigm 如何讨论未来的技术计划。

特别是考虑到大连 NAND 的现有路线图 —— 包括 QLC 部件，这些部件使 Solidigm 最近在大容量企业级固态硬盘方面取得了成功 —— 似乎在 196 层就结束了。

SK海力士GDDR7震撼发布：性能巅峰，较前代跃升60%，重塑图形内存新标杆

7月30日消息，SK海力士于今日宣布成功推出全球性能巅峰的最新一代显存产品——GDDR7，这一里程碑式的产品标志着显存技术的又一重大飞跃，预期将为图形处理和高端计算应用带来显著性能提升。

SK 海力士表示：“GDDR 具备了专用于图形处理的性能和高速度的特性，全球人工智能应用客户对其关注度日益增加。顺应这一趋势，公司已于今年 3 月份开发完成最新规格的 GDDR7，此次正式推出并将于今年第三季度开始量产。”

SK 海力士的 GDDR7 实现了高达 32Gbps（每秒 32 千兆字节）的运行速度，其与前一代相比提高了 60% 以上，根据使用环境速度最高可达 40Gbps。该产品搭载于最新款显卡上，可支持每秒 1.5TB（太字节）以上的数据处理，其相当于在 1 秒内可处理 300 部全高清（Full-HD）级电影（5GB）。

GDDR7 可提供更快速度的同时，能效与前一代相比提升了 50% 以上。SK 海力士为了解决超高速处理数据所导致的芯片发热问题，在此次产品研发过程中采用了封装（Packaging）新技术。

SK 海力士的技术团队维持产品尺寸的同时，将用于封装的放热基板从四层增至六层，并在封装材料中使用具有高导热性的环氧树脂模塑料（EMC）。由此，技术团队成功地将该产品的热阻与前一代相比减少了 74%。

SK海力士推进中国无锡半导体工厂转型，启用第四代10纳米工艺提升产能

据了解，韩国芯片制造巨头SK海力士正在考虑打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，以提升其在中国的半导体工厂的技术水平。

SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分DRAM生产设备提升至第四代10纳米工艺。然而，对于“无锡工厂将进行技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。

这一举动被视为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力的提升，一些韩国芯片企业正在采取一切可以使用的方法来提高在华工厂的制造工艺水平。

据了解，无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。

报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为自2019年以来，美国为阻止中国半导体产业崛起，单方面限制了制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

尽管如此，随着全球半导体市场进入复苏阶段，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。

媒体分析称，SK海力士的这一举动反映了全球半导体市场的变化和中国半导体产业的快速发展。在全球半导体市场复苏的背景下，中国半导体产业的提升无疑将为全球半导体产业的发展注入新的活力。