台积电审慎考量High NA EUV光刻机引入，应用时程尚未敲定

近日消息，台积电预计将于2028年在其A14P制程技术中集成High NA EUV（极紫外光刻）技术，这一革新举措标志着半导体制造领域的重要进步，将极大提升芯片的性能与能效。

对此，台积电海外营运资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，仍在评估 High NA EUV 应用于未来制程节点的成本效益与可扩展性，目前采用时间未定。

上个月，ASML 透露将在 2024 年内向台积电交付首台 High NA EUV 光刻机，价值达 3.8 亿美元（当前约 27.6 亿元人民币）。

在此之前，ASML 已于 2023 年 12 月向英特尔开始交付全球首台 High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5000 的首批模块，并已于今年 4 月 18 日完成组装。

ASML 表示，这台光刻机重量高达 150 吨，相当于两架空中客车 A320 客机，全套系统需要 43 个货运集装箱内的 250 个货箱来装运，一开始预计需要 250 名工程人员、历时 6 个月才能完成安装。

资料显示，ASML 的第一代 High NA EUV（EXE:5000）分辨率达 8nm，可以实现比现有 EUV 光刻机小 1.7 倍物理特征的微缩，从将单次曝光的晶体管密度提高 2.9 倍，可以使芯片制造商能够简化其制造流程。据介绍，EXE:5000 每小时可印刻 185 个以上的晶圆，而且 ASML 还制定了到 2025 年提高到每小时 220 片晶圆的计划。

也就是说，ASML 第一代 High NA EUV 并不是专门用于芯片量产的机型，而是用于尖端工艺的开发和验证；其第二代 High NA EUV 光刻机才是主要面向于尖端制程量产的光刻系统。值得一提的是，英特尔此前已宣布将率先采用 ASML 第二代 High NA EUV——TWINSCAN EXE:5200B 系统。

晶合集成光刻掩模版惊艳登场，行业迎来继台积电、中芯国际后第三大综合代工巨擘

7月24日消息，晶合集成电路股份有限公司（晶合集成）于7月22日成功展示了安徽省首片自主研发的半导体光刻掩模版，标志着安徽省在半导体核心技术领域取得突破性进展，显著增强了本土半导体产业的自给自足能力及国际竞争力。

晶合集成表示，光刻掩模版成功亮相，标志着该公司在晶圆代工领域成为台积电、中芯国际之后，可提供资料、光刻掩模版、晶圆代工全方位服务的综合性企业。

据介绍，掩模版是连通芯片设计和制造的纽带，用于承载设计图形，通过光线透射将设计图形转移到光刻胶上，是光刻工艺中不可或缺的部件。

晶合集成目前可提供 28-150 纳米的光刻掩模版服务，将于今年四季度正式量产，服务范围包括光刻掩模版设计、制造、测试及认证等，计划为晶合客户提供 4 万片 / 年的产能支持。

查询公开资料获悉，晶合集成成立于 2015 年 5 月，由合肥市建设投资控股（集团）有限公司与力晶创新投资控股股份有限公司合资建设，位于合肥市新站高新技术产业开发区综合保税区内，是安徽省首家 12 英寸晶圆代工企业。

晶合集成专注于半导体晶圆生产代工服务，为客户提供 150-40 纳米不同制程工艺。2023 年 5 月，晶合集成正式在上海证券交易所科创板挂牌上市，成为安徽省首家成功登陆资本市场的纯晶圆代工企业。

晶合集成已实现显示驱动芯片（DDIC）、微控制器（MCU）、CMOS 图像传感器（CIS）、电源管理（PMIC）、逻辑应用（Logic）等平台各类产品量产，产品应用涵盖消费电子、智能手机、智能家电、安防、工控、车用电子等领域。