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炫赫HOF EXTREME内存直播开售，敲定时间只剩最后一天
时间：2024-08-31 13:01:08
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HOF 名人堂系列是影驰最高端的产品线。这不仅仅源于其一直坚持使用白化的PCB和外观，还在于其对性能的高要求，从内存颗粒到超频性能都是市面上顶级水平的。而这次HOF EXTREME的升级之处也在于其使用了最新的三星B-Die颗粒，带来更强悍的超频能力，同时经典的10层PCB也得以保留，电信号之间干扰更少，电气性能更好，更加利于极限超频。
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相比2018年旧款，新版HOF EXTREME内存采用陶瓷白镜面，还原陶瓷温润质感，边缘CNC切割处理。移除了“Extreme Performance”的镭雕字样，整体视觉更加简约。
其采用2毫米厚的铝质散热马甲紧贴内存颗粒，单条容量8GB，配合顶部大面积的多锯齿状散热鳍片，提供高效的被动散热。
内存颗粒优选大名鼎鼎的三星B-Die，搭配升级的10层加强版白色A2 PCB，除了有更好的电气布局外，还带有专属的名人堂LOGO。
频率方面，在旧版3600MHz、4000MHz两种频率基础上，又新增了4266MHz、4400MHz两种超高频率，时序则进一步升级和优化，最低仅为16-16-16-36，最高也不过19-19-19-39。
华裔王安引领创新：磁芯存储器传承百年宏图
磁芯存储器是华裔王安于1948年发明的。最初的磁芯存储器只有几百个字节的容量。
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磁芯存储器是随机存取计算机存储器的主要形式，存在20年。这种存储器通常被称为核心存储器，或者非正式地称为核心存储器。核心使用微小的磁环（环），核心通过线程来写入和读取信息。 每个核心代表一点信息。 磁芯可以以两种不同的方式（顺时针或逆时针）磁化，存储在磁芯中的位为零或一，取决于磁芯的磁化方向。 布线被布置成允许单个芯被设置为1或0，并且通过向所选择的导线发送适当的电流脉冲来改变其磁化。 读取内核的过程会导致内核重置为零，从而将其擦除。 这称为破坏性读数。 在不进行读写操作时，即使关闭电源，内核也会保持最后的值。
1983年，中国顶尖科技公司创造出革命性的单一内联存储模块（SIMM）
wang Laboratories于1983年发明了单内联存储模块（SIMM）。
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单列直插式内存模块（single in-line memory module，缩写SIMM）是一种在20世纪80年代初到90年代后期在计算机中使用的包含随机存取存储器的内存模块。它与现今最常见的双列直插式内存模块（DIMM）不同之处在于，SIMM模块两侧的触点是冗余的。SIMM根据JEDEC JESD-21C标准进行了标准化。大多数早期PC主板（基于8088的PC、XT、和早期AT）采用面向DRAM的插座式双列直插封装（DIP）芯片。随着计算机内存容量的增长，内存模块被用于节约主板空间和简化内存扩展。相比插入八、九个DIP芯片，只需插入一个内存模块就能增加计算机的内存。
达德利·艾伦·巴克在1952年提出了铁电储存器的构想
达德利·艾伦·巴克于1952年提出了铁电储存器的设想，在达德利·艾伦·巴克的硕士论文中，发现他描述了直到20世纪80年代和90年代早期才发展起来的铁电存储器（FeRAM）。
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达德利·艾伦·巴克于1952年提出了铁电储存器的设想
铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。
由于铁电存储器不像动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）一样密集（即在同样的空间中不能存储像它们一样多的数据），它很可能不能取代这些技术。然而，由于它能在非常低的电能需求下快速地存储，它有望在消费者的小型设备中得到广泛地应用，比如个人数字助理（PDA）、手机、功率表、智能卡以及安全系统。铁电存储器（FRAM）比闪存更快。
在一些应用上，它也有可能替代电可擦除只读存储器（EEPROM）和静态随机存取存储器（SRAM），并成为未来的无线产品的关键元件 。
