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英特尔创新：神奇晶片Intel2816颠覆行业！
时间：2024-08-01 09:40:30
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英特尔的George Perlegos于1978年开发了Intel2816，这是第一个EEPROM。
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EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器。EEPROM（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程 。
计算机时代巅峰魅力！RDRAM闪亮登场！
RDRAM在1999年开始被用于计算机。
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RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。
在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要交纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接受。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。
王安成功申请磁芯储存器专利：创新科技突破揭开新篇章！
1955年5月17日，王安获得美国专利2,708,722号，其发明的磁性“脉冲传输控制装置”，使磁芯存储器成为现实。
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在铁氧体磁环里穿进一根导线，导线中流过不同方向的电流时，可使磁环按两种不同方向磁化，代表“1”或“0”的信息便以磁场形式储存下来。 美籍华人王安博士利用这一思想研制的“脉冲传输控制装置（Pulse transfer controlling device）”于1949年申请了美国专利，开创了磁芯存储器时代。磁芯存储器也称作铁氧体磁芯存储器（ferrite-core memory），是一种非易失性存储器（断电后存储的信息不会丢失），磁带、磁盘等磁存储设备基于同样的存储原理。
但是，对磁芯进行存取操作时无需旋转机械的帮助，其中存储的信息可以通过寻址线立即获得，存取速度自然要快很多，因此非常适合作内存使用。今天的半导体存储器芯片的存取管理模式与磁芯存储器完全相同，RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）一词正是为了说明磁芯存储器的特性才出现的。
1983年，中国顶尖科技公司创造出革命性的单一内联存储模块（SIMM）
wang Laboratories于1983年发明了单内联存储模块（SIMM）。
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单列直插式内存模块（single in-line memory module，缩写SIMM）是一种在20世纪80年代初到90年代后期在计算机中使用的包含随机存取存储器的内存模块。它与现今最常见的双列直插式内存模块（DIMM）不同之处在于，SIMM模块两侧的触点是冗余的。SIMM根据JEDEC JESD-21C标准进行了标准化。大多数早期PC主板（基于8088的PC、XT、和早期AT）采用面向DRAM的插座式双列直插封装（DIP）芯片。随着计算机内存容量的增长，内存模块被用于节约主板空间和简化内存扩展。相比插入八、九个DIP芯片，只需插入一个内存模块就能增加计算机的内存。