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三星于2013年7月宣布推出第一个商用NVMe的数据存储驱动器XS1715系列产品
时间：2024-08-28 02:02:28
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2013年7月，三星宣布推出XS1715系列产品，这是第一个商用NVMe(非易失性存储器标准)的数据存储驱动器。它以3GB/s的速度读取数据，比三星之前的系列驱动器产品快6倍。
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非易失性内存主机控制器接口规范，也称为NVMe，是英特尔在2007年推出的一种设备规范。它将非易失性存储设备(如SSD)连接到计算机的PCIe总线的方式标准化。如图显示的是英特尔P3608 SSD，它使用的是PCI NVM3.0 8x接口。
传统上，SSD使用诸如SATA之类的磁盘驱动器接口连接到计算机。然而，SATA是为较老的数据存储设备(如硬盘驱动器)设计的，其数据传输速度有限。从2005年开始，当SSD第一次受到消费者的欢迎时，最快的SSD读取数据的速度超过了SATA传输数据的速度。制造商开始生产可以安装在PCIe插槽中的SSD，但它们的接口差别很大。NVMe标准允许将这些设备中的任何一个连接到计算机上，且不需要单独的，会相互冲突的操作系统设备驱动程序。
创世之年，IBM诞生2.6 MB的革命性可移动硬盘驱动器
1963年，IBM开发了第一个可移动硬盘驱动器，容量为2.6 MB。
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1963年，ibm发布了第一个可移动硬盘驱动器1311，它有六个14英寸的盘片，可存储2.6MB数据。
ibm 1311磁盘存储驱动器提供了200万个字符的存储。1311的开发人员通过将磁头和磁盘之间的空间减少了大约两倍，设计出了IBM 1301磁盘存储单元的记录密度的两倍。
1311使用了IBM Disk Pack（后来称为IBM 1316），这是一个可互换的软件包，其中包含6个直径为14英寸的磁盘，四英寸的堆栈，重10磅（在该人的左手上方可见）。每个磁盘表面包含20个饼形区域。扇区是位于一个区域内的磁道段，是最小的可寻址单元，可容纳100个字符。任何扇区的平均访问时间为250毫秒，使用可选的直接搜索功能可以将其减少到150毫秒。磁盘以1500 rpm旋转，磁道（50到英寸）的记录速度高达每英寸1025位，通常头到表面的间距为125微英寸。正常情况下提供的十个记录表面的存储容量为200万个字符，相当于大约25,000张打孔卡或一卷磁带的五分之一。
1311的第一个主机大型机是IBM 1401数据处理系统，1440数据处理系统，1620数据处理系统和1710控制系统。
通过以相对较低的租金提供磁带和磁盘的某些优势，IBM 1311满足了对通用存储的需求，并成为非常有影响力的产品。此外，一些分析人士认为，可移动磁盘包不仅推进了磁盘存储的新阶段，而且标志着打孔卡时代的过去。
1999年8月，松下、闪迪和东芝向公众介绍了其开发的SD(安全数码)存储卡格式
松下、闪迪和东芝开发了SD(安全数码)存储卡格式，并在1999年8月向公众介绍了它。
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SD卡是安全数码卡的缩写，是电子产品中较为常见的存储卡类型之一。SD技术被400多个品牌的电子设备和8000多种型号使用，包括数码相机和手机。因为被广泛应用，其被认为是行业标准。SD卡的三个版本，以及它们的物理尺寸，如图所示。
台式机和笔记本电脑只要有读卡器，就可以读取任何SD卡，只要读卡器能够读取所需大小的sd卡。如果你的计算机没有SD读卡器(或有一个错误的插槽大小)，可以为计算机购买外部USB读卡器。
IBM研究员E.F.Codd博士：实现了关系数据库模型的理论突破
1970年，IBM研究员E.F.Codd提出了关系模型的概念，由此奠定了关系模型的理论基础。他所发表的论文“A Relational Model of Data for Large Shared Data Banks”也被认为是数据库系统历史上具备划时代意义的里程碑。在经过不断的发展和论证之后，最终使得更具备优势的关系型数据库成为了市场的主流。
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关系数据库（英语：RelATIonal database），是创建在关系模型基础上的数据库，借助于集合代数等数学概念和方法来处理数据库中的数据。现实世界中的各种实体以及实体之间的各种联系均用关系模型来表示。
关系模型是由埃德加·科德于1970年首先提出的，并配合“科德十二定律”。现如今虽然对此模型有一些批评意见，但它还是数据存储的传统标准。标准数据查询语言SQL就是一种基于关系数据库的语言，这种语言执行对关系数据库中数据的检索和操作。
关系模型由关系数据结构、关系操作集合、关系完整性约束三部分组成。
贝尔实验室1967年开创浮栅MOSFET闪存之先河
1967年。贝尔实验室江大原（Dawon Kahng，韩裔）和施敏博士（Simon Sze）共同发明了浮栅MOSFET，即所有闪存，EEPROM和EPROM的基础。
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浮栅MOSFET，可以把电子牢牢关在基板和金属浮栅极之间的一片小小导体中。这种结构，是NAND闪存的基础。
浮栅MOSFET的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。
在浮栅（floATIng gate）上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用Fowler-Nordheim隧穿和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。
在今天的电脑、手机、存储卡、洗衣机、微波炉，甚至门禁卡、交通卡中，NAND闪存无处不在。