三星Galaxy Watch7&Ultra耀世登场:3nm芯片驱动,革新健康监测体验

时间:2024-08-13 23:03:12
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近日消息,科技巨擘三星在巴黎举办的Galaxy Unpacked全球发布会上,向世界揭开了其最新的可穿戴技术杰作——Galaxy Watch7与Galaxy Watch Ultra智能手表的神秘面纱。

三星Galaxy Watch7&Ultra耀世登场:3nm芯片驱动,革新健康监测体验

Galaxy Watch7

Galaxy Watch7 蓝牙版 40mm:1999 元

Galaxy Watch7 蓝牙版 44mm:2199 元

Galaxy Watch7 LTE 版 44mm:2499 元

三星 Galaxy Watch7 智能手表搭载全新 3nm 五核处理器、增强型三星 BioActive 生物传感器与 Galaxy AI,提供 40mm 和 44mm 两种表盘尺寸,云岭绿、幻羽银和云际白三种颜色可选。

增强型三星 BioActive 生物传感器配备了 13 颗 LED 灯管,以精准监测心率、睡眠模式等健康数据。

此外,Galaxy Watch7 还搭载 L1 + L5 双频 GPS,40mm 型号内置 300mAh 电池,44mm 型号内置 425mAh 电池。

Galaxy AI 赋能下,Galaxy Watch7 智能手表新增能量得分功能,可帮助用户更好地了解身体状况,以科学合理的方式开始新的一天。

Galaxy Watch7 还支持语音转文字功能,可即时生成摘要。健身追踪功能支持用户通过热身、休息环节来规划完整的锻炼活动,或者参照历史成绩记录来保持动力。

此外,Galaxy Watch7 支持还心率警示、ECG、身体成分测量、生理周期记录、摔倒检测等健康功能。

Galaxy Watch Ultra

Galaxy Watch Ultra 智能手表采用全新设计与钛金属机身,可耐受 55°C 高温与 10ATM 水压,提供钛岩灰、钛铂银和钛瓷白三款配色,国行定价 5199 元。

续航方面,如果关闭“省电模式”或“运动时省电”,则在启动“息屏提醒”功能时电池续航时间可长达 60 小时,在禁用“息屏提醒”功能时电池续航时间可长达 80 小时。

Galaxy Watch Ultra 提供 10ATM 与 IP68 级防水性能,通过 MIL-STD 810H 测试,可选择易于排水的水上运动表带。

这款手表可承受 -20°C~55°C 的霜冻与高温,可选择越野运动表带,支持导航与原路返回功能。

此外,按压按住快捷按钮 5 秒钟,即可启动 86 分贝音量的强力警报器,可穿透最远 180 米距离。

在户外骑行时,三星还提供配速竞赛、导航与个性化心率区间功能。

当夜幕降临时,Galaxy Watch Ultra 的显示屏会自动切换为柔和的夜间模式。

Galaxy Watch Ultra 同样搭载 Watch7 的新款 3nm 五核处理器、双频 GPS 与 Galaxy AI 功能。

Galaxy Watch Ultra 支持个性化功能阈值功率(FTP)功能,可帮助用户提升骑行成绩。

Galaxy Watch Ultra 仅提供一款版本,内置 590mAh 电池与 32GB 存储空间,搭载蓝牙与 LTE 连接能力,国行售价 5199 元。

三星电子瞄准2025至2026年,革新移动内存领域:LP Wide I/O技术将位宽推升至512bit

7月17日消息,三星电子公布了其在移动内存技术上的最新突破——LP Wide I/O(简称LPWIO)内存的研发进展,这是根据该公司最新的2024年异构集成路线图所透露的信息。

三星电子瞄准2025至2026年,革新移动内存领域:LP Wide I/O技术将位宽推升至512bit

值得注意的是,三星电子以往曾提到过一种名称与其相近的 LLW (Low Latency Wide I/O) 内存,尚不能确认两者关系。

LP Wide I/O 内存将于 2025 年一季度实现技术就绪,2025 下半年至 2026 年中实现量产就绪。

路线图显示,LP Wide I/O 内存单封装位宽将达到现有 HBM 内存的一半 —— 即 512bit。

作为对比,目前的 LPDDR5 内存大多数是单封装四通道共 64bit,未来的 LPDDR6 内存也仅有 96bit。

更大的位宽意味着三星电子的 LP Wide I/O 内存可提供远胜于现有移动内存产品的内存带宽,满足设备端 AI 应用等场景的需求。

在相对较小的移动内存芯片上实现 512bit 位宽,势必需要堆叠 DRAM 芯片,但 HBM 采用的 TSV 硅通孔方式也不适合移动内存各层 DRAM 间的互联。

因此三星电子将在 LP Wide I/O 内存上采用一项名为 VCS (全称 Vertical Cu Post Stack) 的全新垂直互联技术。

同 SK 海力士的 VFO 技术类似,三星电子的 VCS 技术也是将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子表示,VCS 先进封装技术相较传统引线键合拥有 8 倍和 2.6 倍的 I/O 密度和带宽;

相较 VWB 垂直引线键合 全称 Vertical Wire Bonding,疑似指代 SK 海力士的 VFO 技术) ,三星电子宣称其 VCS 技术的生产效率是前者 9 倍。

三星电子在图片中还提到,其 LPDDR6 内存也预计于 2025~2026 年量产就绪。

三星Galaxy S25 Ultra创新边框工艺,重塑舒适握感体验

近日消息,三星除了推出备受瞩目的可折叠手机Galaxy Z Flip6和Z Fold6之外,关于其下一代旗舰手机Galaxy S25系列的消息也开始浮出水面。

三星Galaxy S25 Ultra创新边框工艺,重塑舒适握感体验

据悉,三星已经敲定了 Galaxy S25 系列三款机型的设计。其中,Galaxy S25 Ultra 将采用非对称式边框设计,以改善握持手感。消息称,该机的后面板侧边框将更加圆润,有利于单手持握,而正面边框则会更平直。

此外,这种设计还有可能会让手机的边框看上去更窄,不过目前尚不清楚三星将如何实现这一点。值得一提的是,Galaxy S25 Ultra 的整体宽度将与上一代保持一致,但侧边框将会更窄。

这则消息部分印证了今年 6 月底有关新机设计更改的传闻。当时有消息称,三星将针对 Galaxy S24 Ultra 的握持手感问题进行改进。Galaxy S24 Ultra 拥有 6.8 英寸的大屏,而且由于采用了锋利的边角设计,使得整机握持感并不佳,让人感觉比同尺寸的其它智能手机更大。

三星 Galaxy S25 Ultra 的非对称式边框设计将是一个令人期待的改变,其将如何影响整机的握持手感和易用性,让我们拭目以待。

三星革新智能穿戴市场:外方内圆智能戒指专利揭示未来健康管理新趋势

7月5日消息,据科技界资深媒体的深入挖掘,美国专利数据库中惊现三星电子最新荣获的创新设计专利。这份专利文件详尽描绘了一款颠覆想象的智能戒指设计,预示着三星或将推出其智能穿戴设备系列的又一力作——“Galaxy Ring 2”。

三星革新智能穿戴市场:外方内圆智能戒指专利揭示未来健康管理新趋势

根据专利分享的外观设计,采用了有别于 Galaxy Ring 的全圆环设计,专利中智能戒指采用外方内圆设计,有更多的空间来安装传感器。

专利中表示外层还可以设计为屏幕,用户可以互动,查看锻炼、心跳率、通知、来电提醒等统计数据。

在传感器方面,该智能戒指支持心电图测量,还有温度传感器、加速度传感器、指纹传感器等等

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